按照《建設(shè)項目環(huán)境影響評價信息公開機制方案》（環(huán)發(fā)[2015]162號）文件要求，現(xiàn)將高端半導(dǎo)體芯片掩模版研發(fā)中心項目相關(guān)情況公示如下：

1. 項目名稱：高端半導(dǎo)體芯片掩模版研發(fā)中心項目

2. 建設(shè)地點：珠海市高新區(qū)金鼎片區(qū)金鼎中路東、金瑞二路北側(cè)

3. 建設(shè)單位：珠海市龍圖光罩科技有限公司

4. 項目概況：

   項目總投資3320萬元，主要從事65-130nm工藝節(jié)點芯片掩模版及其關(guān)鍵技術(shù)的研究，并開展掩模版制造技術(shù)的基礎(chǔ)與理論研究，進一步提高公司的研發(fā)能力和自主創(chuàng)新能力。

全本公示稿如附件所示：

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