項目名稱：研發(fā)測試及試驗中心建設項目
建設單位：珠海市威兆半導體有限公司
公示日期：2024-9-18
項目概括：2023年珠海市威兆半導體有限公司投資建設“威兆半導體芯片規(guī)模封測基地項目”（以下簡稱“原項目”）位于廣東省珠海市高新區(qū)唐家灣鎮(zhèn)金園二路333號。根據(jù)企業(yè)發(fā)展需要，投資3620萬元建設研發(fā)測試及試驗中心建設項目（以下簡稱“項目”），位于原項目廠房7樓，占地面積為3264.89m2，建筑面積為3264.89m2。項目主要從事集成電路芯片的設計及優(yōu)化，通過不同類型實驗設備測試驗證芯片設計方案的可行性，設計年研發(fā)MOSFET、IGBT、SiCMOS三類芯片合計共10000顆。目前，實際年研發(fā)MOSFET、IGBT、SiCMOS三類芯片合計共7000顆。
環(huán)境保護設施建設情況：
（一）廢水
項目階段性廢水主要為生活污水和實驗清洗廢水。生活污水經(jīng)三級化糞池預處理后通過市政污水管網(wǎng)排入珠海海源再生水有限公司北區(qū)水質(zhì)凈化廠進一步處理；實驗清洗廢水進入一套廢水處理設施（工藝為：氧化還原反應+中和+生化處理+混凝沉淀+化學沉淀+脫氮處理）處理后，通過市政污水管網(wǎng)排入珠海海源再生水有限公司（北區(qū)）水質(zhì)凈化廠處理（WS-6-306-1）。
（二）廢氣
項目階段性廢氣主要為化學實驗、老化實驗工序產(chǎn)生的廢氣，收集后經(jīng)堿液噴淋+二級活性炭吸附處理，由40m排氣筒高空排放（FQ-6-306-2）。
（三）噪聲
項目噪聲主要為設備運行時產(chǎn)生的噪聲。采取合理布局、選用低噪聲設備、減振、隔聲等措施，減少對周圍環(huán)境的影響。
（四）固體廢物
項目階段性固體廢物主要為生活垃圾、一般工業(yè)固體廢物及危險廢物。生活垃圾交環(huán)衛(wèi)部門清運；廢包裝材料等一般固體廢物，收集后交由廢舊物資公司回收處理；實驗原料廢空瓶、廢電子元器件、實驗室廢物等危險廢物分類收集、暫存于危廢暫存點，交由具有危險廢物處理資質(zhì)的單位回收處理。
（五）環(huán)境管理
1、環(huán)境管理。企業(yè)設立了環(huán)保管理機構(gòu)，設置了專人負責環(huán)保管理工作，環(huán)保設施標識清楚明確，環(huán)保規(guī)章制度較完善。
2、規(guī)范化排污口。企業(yè)設置了規(guī)范化排污口。
3、環(huán)境風險防范。企業(yè)編制了突發(fā)環(huán)境事件應急預案，配備了相應的應急設施。
工程建設對環(huán)境的影響：
項目建設生產(chǎn)過程中，落實了環(huán)境影響報告表及批復提出的環(huán)境管理措施及要求，對環(huán)境無明顯影響。
驗收結(jié)論：
項目不存在《建設項目竣工環(huán)境保護驗收暫行辦法》（國環(huán)規(guī)環(huán)評〔2017) 4號〕第八條規(guī)定的不得通過驗收合格的情形，驗收組同意項目完成如下后續(xù)要求后通過項目階段性竣工環(huán)境保護驗收。
公眾提出意見的方式：
附件：驗收意見
附件：（公示稿）研發(fā)測試及試驗中心建設項目-項目驗收監(jiān)測報告
建設單位：珠海市威兆半導體有限公司
聯(lián)系人/電話：王總/13662740826
